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华南理工大学07硕士生招生考试大纲(半导体集成电路)

华南理工大学   2006-09-28 16:40 【 】【我要纠错

  主要内容:

  1、 成电路制造技术和工艺流程:双极型工艺(典型TTL IC制造流程);MOS工艺(典型单阱硅栅CMOS工艺流程和方法);双极型IC和CMOSIC的比较。

  2、MOSFET结构、特性、参数、模型。

  3、集成电路基本器件结构:二极管、双极晶体管、MOSFET、隔离、电阻、电容、电感、通孔、接触孔和连线等;集成电路寄生效应;

  4、版图设计规则及其表达方法;

  5、六管单元TTL与非门集成电路分析与版图设计;

  6、CMOS基本逻辑门电路(反相器、与反门、或非门、与或非门、异或门、半加器、全加器、传输门、RS触发器、JK触发器、D触发器)

  7、微处理器及其算术逻辑单元电路原理;

  8、寄存器和存储器类集成电路

  各种移位寄存器,SRAM、DRAM,Mask-ROM,EPROM,EEPROM,FlashRAM的单元结构及其特点;存储器的典型系统结构(存储矩阵、译码电路、读写控制)

  9、模拟集成电路中的基本单元:差动放大单元、电流镜、恒流源、能隙基准源;

  10、电压比较器和运算放大器,D/A和A/D转换器;

  11、数字集成电路正向设计的典型设计流程。

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