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天津大学07考研复试大纲(微电子学与固体电子学综合)

天津大学   2006-08-30 16:00 【 】【我要纠错

  科目名称:微电子学与固体电子学综合

  第一部分: 半导体集成电路复试大纲(参加微电子学复试的考生参考)

  一、考试的总体要求

  “半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”、“半导体集成电路”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

  二、考试内容及比例

  (一)晶体管原理(30%)

  1.PN结

  (1)PN接触电势差VBJ形成;

  (2)理想和实际二极管电流电压方程,非平衡清况电流随电压变化规律。

  (3)PN结击穿机理。

  2.双极晶体管直流特性

  (1)晶体管中的电流传输

  (2)晶体管电流增益

  3.晶体管频率特性和瞬变特性

  (1)晶体管交流特性理论分析

  掌握混合 模型及各参数的意义

  (2)共发射极短路电流放大系数及其截止频率

  (3)晶体管开关时间

  4.MOS场效应晶体管

  (1)MOS场效应晶体管基本工作原理、类型。

  (1)MOSFET的阈值电压定义、表达式、VBS的影响

  (2)MOSFET的伏安特性

  能够解释输出特性曲线,理解萨之唐方程的求解过程和适用范围;了解MOSFET的击穿机理。

  (3)短沟道效应的定义和影响

  (二)半导体集成电路(70%)

  1.集成电路中的晶体管及其寄生效应

  (1)集成双极晶体管的有源寄生效应

  (2)集成电路中的PNP管

  (3)肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管

  2.晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路

  (1)TTL与非门,

  (2)STTL 电路

  3.发射极耦合逻辑(ECL)电路工作原理

  4.MOS倒向器及其基本逻辑单元

  (1)7.2  E/D反相器

  (2)7.3  CMOS反相器

  (3)7.5 动态反相器

  (4)8.1 NMOS逻辑结构

  (5)8.2 CMOS逻辑结构

  (6)8.4 影响门的电气和物理结构设计的因素

  (7)8.6传输门逻辑

  (8)9.4 寄存器

  5.模拟集成电路中的基本单元

  (1)12.1.2 MOS管放大器

  (2)12.2  恒流源电路

  (3)12.3  偏置电压源和基准电压源电路

  6.集成运算放大器

  (1)13.1运算放大器的输入级

  (2)13.2运算放大器的输出级电路

  (3)13.3.1  741型通用集成运放

  (4)13.4.4 CMOS集成运放

  三、试卷题型及比例

  1、简答题:30%

  2. 论述题:45%

  3. 计算、综合题:20%

  4. 设计题:5%

  四、考试形式及时间

  笔试  考试时间1小时

  五、主要参考材料

  1.《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》,曹培栋编著,电子工业出版社或《晶体管原理》,张屏英,周右谟编著,上海科学技术出版社

  2.《半导体集成电路》,朱正涌编著,清华大学出版社

  第二部分: 微电子学与固体电子学复试大纲(参加微电子学与固体电子学专业复试的考生参考)

  一、考试的总体要求

  本复试大纲包括“薄膜电子技术”、“功能材料理论基础”两门课程内容,是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况,考察学生分析问题解决问题的能力。

  二、考试内容及比例

  (一) 薄膜电子技术(70%)

  1.薄膜的制备技术:

  1)真空技术基础:真空的获得,真空度的表征和检测,

  2)物理气相沉积镀膜技术:真空蒸发镀膜原理,蒸发特性及参数,合金及化合物蒸发。溅射镀膜类型及原理、特点,溅射特性参数。离子镀膜原理、特点。

  3)化学气相沉积镀膜技术:不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点(LPCVD,PECVD,MOCVD)

  4)溶液镀膜法:化学镀,溶胶-凝胶法,LB膜的制备原理。

  2.薄膜形成理论:

  1)薄膜的形成过程,薄膜的形成与生长形式。

  2)薄膜的结构与缺陷:薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构,薄膜的缺陷及产生机理。

  3.薄膜结构与化学组分检测方法:X射线衍射法,扫描电子显微镜法,俄歇电子能谱法,

  X射线光电子能谱法

  (二)功能材料理论基础(30%)

  1. 相律与相平衡的基本概念

  2. 二元系统的杠杆规则和基本类型

  (1)具有低共熔点的系统

  (2)形成连续固溶体的系统

  (3)形成不连续固溶体的系统

  3. 固溶体

  (1)置换型固溶体形成连续固熔体的条件

  (2)填隙型固溶体

  (3)固溶体的性质和研究方法

  4. 烧结的理论基础

  (1)烧结过程

  (2)烧结的推动力

  (3)影响烧结的因素

  三、试卷题型及比例

  1、选择,填空题:10%

  2、简答题:30%

  3、论述题:45%

  4、综合题:15%

  四、考试形式及时间

  笔试  考试时间1小时

  五、主要参考材料

  1、《薄膜物理与技术》,杨邦朝编著,电子科技大学出版社

  2、《功能材料理论基础》,自编教材

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